低壓近場靜電紡絲技術(shù)通過減小紡絲距離降低紡絲電壓,既能減少能耗又能提高安全系數(shù),而且有效地解決了傳統(tǒng)靜電紡絲過程的不穩(wěn)定性,實現(xiàn)了纖維的可控沉積,為滿足目前工業(yè)化生產(chǎn)中對大規(guī)模制備微納米纖維以及控制纖維形貌的需求提供可能,因此在納米直寫技術(shù)、納米纖維大面積有序沉積、納米纖維高精度沉積、微電子系統(tǒng)等領(lǐng)域具有非常大的應用前景。
Sun 等在前期對近場電紡直寫有序納米纖維的研究基礎(chǔ)上,探索出近場電紡技術(shù)制備納米溝道的方法。首先利用近場靜電紡絲技術(shù)將納米纖維按預定軌道直接沉積在襯底上,之后在襯底上磁控濺射一層金膜作溝道材料,后將該襯底在lu仿中進行超聲清洗,納米纖維及覆蓋在其上的金即被剝離,進而形成一條納米溝道。實驗表明,溝道的寬度和形狀受近場電紡工藝參數(shù)的影響,當近場電壓從1.2kV 變化到2.5kV 時,相應的溝道寬度從133nm 變化到13.54um。此外,除去直線型納米溝道,通過調(diào)節(jié)基底的移動規(guī)律還可制備網(wǎng)格狀及波浪狀納米溝道。 |
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